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(原标题:刚刚!芯片,突传重磅)
台积电和英伟达两大芯片巨头,传来新音问!
12月5日,有报谈称,台积电正与英伟达洽谈,在台积电位于好意思国亚利桑那州的新工场坐褥Blackwell东谈主工智能芯片。英伟达于本年3月推出了Blackwell系列芯片,客户对这款芯片的需求很高,当前仍是供不应求。据悉,台积电已在为其好意思国新工场来岁头投产该芯片作念准备。
芯片界限的另外几则音问,也激励商场温存。日前有别传称,SK海力士将遴荐台积电3nm制程坐褥第六代高频宽內存HBM4。另外,还有音问称,马斯克的xAI已订购10.8亿好意思元的英伟达GB200 AI行状器,并赢得优先录用权。此外,12月5日,越南辩论投资部发布声明称,越南总理范明政当日会见到访的英伟达CEO黄仁勋。英伟达同越南政府签署公约,将在该国诞生AI研发中心。
来看详备报谈!
英伟达、台积电最新
据路透社报谈,多位知情东谈主士称,台积电正与英伟达洽谈,霸术在台积电位于好意思国亚利桑那州的新工场坐褥英伟达的Blackwell东谈主工智能芯片。知情东谈主士称,台积电正在为来岁头投产作念准备。对此,台积电和英伟达解发放表评述。
Blackwell是英伟达本年3月发布的AI芯片。英伟达暗意,生成式AI和加快辩论界限的客户对其Blackwell芯片的需求很高,当前仍是供不应求。据悉,在为聊天机器东谈主提供谜底等任务中,Blackwell芯片的速率最高要快30倍,同期功耗裁汰了25倍。
知情东谈主士称,上述公约一朝敲定,将为台积电亚利桑那州工场争取到另一个客户,该工场辩论于来岁启动批量坐褥。当前,苹果和AMD是台积电亚利桑那州新工场的现存客户。
报谈提到,尽管台积电辩论在亚利桑那州坐褥英伟达Blackwell芯片的前端工艺,但这些芯片仍需要运回中国台湾地区进行封装。这是因为亚利桑那州的设施当前不具备芯片上晶圆基板(CoWoS)封装才能,这是Blackwell芯片所必需的要道工夫。台积电通盘的CoWoS封装产能当前齐连合在中国台湾地区。
台积电是寰球上最大的合同芯片制造商,如今正投资数百亿好意思元在好意思国凤凰城建造三座工场。英伟达当前正在全力坐褥Blackwell芯片,且在极力扩大来岁的产能,但仍将供不应求。
研究公司Creative Strategies的CEO兼首席分析师Ben Bajarin暗意:“与之前的芯片比较,Blackwell遴荐了更先进的封装工夫,这就加多了一个贫乏。”Bajarin预测,通盘2025年英伟达的Blackwell芯片齐将处于供不应求的所在。
英伟达是东谈主工智能飞腾的主要受益者,本年以来,该公司的股价仍是上升近2倍,总市值进步3.5万亿好意思元,为巨匠市值第二高的上市公司,仅比名按序一的苹果公司低1000亿好意思元。
当前,英伟达的下一代旗舰AI芯片Blackwell正在积极录用中。第三季度,包括微软、甲骨文和OpenAI在内的很多终局客户仍是启动接管该公司的下一代东谈主工智能芯片Blackwell。英伟达首创东谈主兼CEO黄仁勋近日暗意,Blackwell已“全面参预坐褥”。
另外两大别传
日前,DigiTimes报谈称,马斯克旗下的AI初创公司xAI,已向英伟达订购了价值10.8亿好意思元的GB200 AI行状器,并赢得了优先录用权。预测英伟达将于2025年1月启动录用这些行状器,由富士康代工坐褥。
报谈称,马斯克平直策划了英伟达CEO黄仁勋,霸术了xAI的GB200行状器订单事宜。优先赢得英伟达的AI行状器有助于xAI更好地竣事其目的。
黄仁勋和马斯克之间一直有邃密的关联。黄仁勋曾屡次公开维持特斯拉,暗意“特斯拉在自动驾驶汽车方面遥遥首先。但总有一天,每一辆车齐必须具备自动驾驶才能,这更安全、更浅易,也更酷爱酷爱。”
上个月,有音问称马斯克正在与英伟达霸术对xAI的潜在投资。其时,黄仁勋拆伙评述策划别传,但招供了xAI团队的吃力责任。
本年11月下旬,xAI在完成50亿好意思元的融资后,估值达到约500亿好意思元,在六个月内估值简直翻了一倍。据知情东谈主士领路,最新一轮的投资者包括卡塔尔投资局、Valor Equity Partners、红杉老本和Andreessen Horowitz。近日,还有音问称,马斯克旗下xAI公司辩论最早于12月推出其旗下Grok聊天机器东谈主的恬逸哄骗措施,与OpenAI竞争。
日前,还有音问称,SK海力士将遴荐台积电3nm坐褥HBM4。《韩国经济新闻》报谈称,别传韩国存储芯片大厂SK海力士应蹙迫客户的条款,将于2025年下半年以台积电3nm制程为客户坐褥定制化的第六代高频宽內存HBM4。
报谈称,音问东谈主士领路,SK海力士已决定与台积电互助,最快来岁3月就会发布一款遴荐台积电3nm制程坐褥的基础裸片(base die)的垂直堆叠HBM4原型,而主要出货的客户是英伟达。
把柄现存的音问来看,SK海力士会将其HBM4的基础裸片交由台积电3nm制程制造,有望比较之前的别传的5nm制程带来20%~30%的升迁。而三星的HBM4的基础裸片此前别传将会遴荐4nm制程制造,这也意味着SK海力士的HBM4可能将会比三星更具上风。
有业内东谈主士近日爆料称,SK海力士之是以改为遴荐台积电3nm制程来制造HBM4基础裸片,是为了搪塞三星以4nm来坐褥HBM4基础裸片的声明。恶果,三星当前也接头以3nm坐褥HBM4基础裸片,以至可能选择台积电的3nm制程。
校对:刘榕枝
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